特許
J-GLOBAL ID：200903028337961905
半導体装置及びその実装装置及びその実装方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 成示 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-161606
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058134
出願日： 1993年06月30日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：
【要約】【目的】 赤外線検出素子等の三次元微細加工素子チップへの余分なダイボンドペーストの這い上がりを無くし、素子特性の低下を防止することができる半導体装置及びその実装装置の構造と、その半導体装置の実装方法を提供する。【構成】 チップ状の半導体素子(赤外線検出素子1)をダイボンドペースト11を介して基板9上に実装した半導体装置において、前記ダイボンドペースト11を、前記基板9上の前記半導体素子(赤外線検出素子1)の実装位置に局所的に、少なくとも前記半導体素子(赤外線検出素子1)のワイヤボンディングパッド5の下方位置近傍に配置した。【効果】 半導体素子(赤外線検出素子1)への余分なダイボンドペースト11の付着が防止できるので、半導体素子(赤外線検出素子1)の性能を損なうことなく、従来のダイボンダを用いて半導体素子(赤外線検出素子1)の実装を行うことができる。
請求項（抜粋）：
チップ状の半導体素子をダイボンドペーストを介して基板上に実装した半導体装置において、前記ダイボンドペーストが前記基板上の前記半導体素子の実装位置に局所的に、少なくとも前記半導体素子のワイヤボンディングパッドの下方位置近傍に配置されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/52
, H01L 21/60 301
, H01L 31/02
