半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-287622
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140391
出願日： 1992年10月26日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：

【要約】【目的】層間絶縁膜の表面段差を小さくすることにより、微細化に伴う接続口や金属配線層のパターニングによる形成などを容易にし、かつ電気的信頼性の高い半導体装置を効率よく製造する方法を提供する。【構成】半導体基板1の表面上に多結晶シリコン膜4が形成され、さらにその上にシリコン窒化膜50が形成される。この多結晶シリコン膜4およびシリコン窒化膜50を被覆するように、シリコン窒化膜50より低い硬度を有するシリコン酸化膜8が形成される。シリコン酸化膜8は、シリコン窒化膜50の表面が露出するように、平坦化される。平坦化されたシリコン酸化膜8の上に、シリコン酸化膜39が形成される。さらに、シリコン酸化膜39の上に、第1の配線層12が形成される。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面上に第1の導電層を形成するステップと、前記第1の導電層上に、第1の硬度を有する第1の絶縁層を形成するステップと、前記第1の導電層および前記第1の絶縁層をパターニングするステップと、前記半導体基板ならびに前記パターニングされた前記第1の導電層および前記第1の絶縁層をすべて被覆するように、前記第1の硬度より低い第2の硬度を有する第2の絶縁層を形成するステップと、前記第1の絶縁層の表面が露出するように、前記第2の絶縁層を平坦化するステップと、前記平坦化された表面上に第3の絶縁層を形成するステップと、前記第3の絶縁層上に第2の導電層を形成するステップとを備えた、半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/318 , H01L 21/3205 , H01L 21/90 , H01L 27/108

FI (2件)：

H01L 21/88 K , H01L 27/10 325 P

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平2-152255
特開平3-295239
特開平2-144916

全件表示

前のページに戻る