特許

J-GLOBAL ID：200903028339887680

電子放出素子の製造方法及び装置、電子放出素子形成用原版の製造方法及び装置、電子放出素子形成用原版、並びに、フィールドエミッションディスプレイ

発明者： 木下 真言
出願人/特許権者： リコーマイクロエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 黒田 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-181655
公開番号（公開出願番号）：特開2002-008522
出願日： 2000年06月16日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 電子放出に適した形状を有し、且つ、量産性や品質の安定性に優れた電子放出素子を容易に形成することができる電子放出素子の製造方法及び装置、フィールドエミッションディスプレイを提供する。【解決手段】 フォトマスク10を介して、該電子放出素子3の高さ以上の厚みdを有するフォトレジスト膜11を露光・現像することにより、電子放出素子3の外形を象った円錐状溝11aを該フォトレジスト膜11に食刻し、該フォトレジスト膜11からなる電子放出素子形成用原版100の該円錐状溝11aからなる型溝100aに該電子放出素子3となる導電材料をメッキして、該型溝100a内に該電子放出素子3を象った円錐状の電子放出素子体3Aを形成し、該型溝100a内に形成された電子放出素子体3Aを基板1上に配設した後、該電子放出素子形成用原版100を除去して該基板1上に電子放出素子3を形成する。

請求項（抜粋）：

電子放出素子と引出電極と陽極とを備え、引出電極によって電子を電子放出素子から引き出して陽極へ衝突させる装置に使用される電子放出素子の製造方法であって、形成しようとする電子放出素子に対応するマスキングパターンが形成されたフォトマスクを介して、該電子放出素子の高さ以上の厚みを有するフォトレジスト膜を露光・現像することにより、電子放出素子の外形を象った円錐状凹部を該フォトレジスト膜に食刻し、該フォトレジスト膜からなる電子放出素子形成用原版の該円錐状凹部からなる型凹部に該電子放出素子となる導電材料をメッキして、該型凹部内に該電子放出素子を象った円錐状の電子放出素子体を形成し、該型凹部内に形成された電子放出素子体を基板上に配設した後、該電子放出素子形成用原版を除去して該基板上に電子放出素子を形成することを特徴とする電子放出素子の製造方法。

IPC (4件)：

H01J 9/02 ,  G03F 1/16 ,  G03F 7/20 501 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

H01J 9/02 B ,  G03F 1/16 B ,  G03F 1/16 E ,  G03F 7/20 501 ,  H01L 21/30 541 B

Fターム (13件)：

2H095BA01 ,  2H095BB14 ,  2H095BB25 ,  2H095BB28 ,  2H095BC27 ,  2H095BC28 ,  2H097BB03 ,  2H097FA03 ,  2H097GB00 ,  2H097JA02 ,  2H097LA20 ,  5F056CB01 ,  5F056EA02