特許

J-GLOBAL ID：200903028341376367

ショットキバリア整流半導体装置

発明者： 若田部 勝
出願人/特許権者： 新電元工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-089733
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259436
出願日： 1992年03月13日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 一導電型半導体に形成されるショットキバリア接触面に局部的電流集中がなく、半導体チップ面積に対する順方向電流を増大し、半導体チップ面積の経済化、及び特性改善を図る。【構成】 電極金属と一導電型半導体間の一部又は全部に、その一導電型半導体より高濃度の第2の一導電型半導体領域を電極金属とショットキバリア接触をなすように設けることを主たる特徴とする。

請求項（抜粋）：

一導電型半導体表面に複数個の逆導電型半導体領域を形成し、一導電型半導体とはショットキバリア接触を、又、逆導電型半導体領域とはオ-ム性接触をなす電極金属を設けるように構成したショットキバリア整流半導体装置において、電極金属と一導電型半導体間の一部又は全部に、一導電型半導体より高濃度の第2の一導電型半導体領域を電極金属とショットキバリア接触をなすように設けたことを特徴とするショットキバリア整流半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-181172
  
• 特開昭62-081647
  
• 特開昭63-011371