特許

J-GLOBAL ID：200903028343470069

エレクトロルミネセンス素子及びその作製方法

発明者： 金本 明彦
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 高野 明近 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-324882
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134272
出願日： 2000年10月25日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：

【要約】【目的】 EL素子の作製に転写法によるパターン作成技術を応用し、耐熱温度が低いプラスチック基板上に形成する透明電極の抵抗値を小さくする。【構成】 第一の基板(1)上に剥離層(2)を設ける工程と、該剥離層上に透明電極3とその対向電極6、発光層5などを成膜してEL素子部分を形成する工程と、該EL素子部分上に接着層8を形成し、前記EL素子部分を第二の基板9に転写する工程と、第二の基板9に転写された前記EL素子部分上にバリヤ層10を設ける工程とによって作製されるEL素子。第一の基板は、140〜160°C程度の耐熱性を有するため、透明電極材料3を結晶化することが可能で、比抵抗を2×10-4Ωcm以下の低抵抗とすることが可能である。

請求項（抜粋）：

第一の基板上に剥離層を設け、該剥離層上に透明電極、発光層、対向電極などを成膜してエレクトロルミネセンス素子部分(以下、EL素子部分という)とし、該EL素子部分上に接着層を形成して前記EL素子部分を第二の基板に転写し、該第二の基板に転写された前記EL素子部分上にバリヤ層を設けたことを特徴とするエレクトロルミネセンス素子(以下、EL素子という)。

IPC (4件)：

H05B 33/10 ,  H05B 33/02 ,  H05B 33/04 ,  H05B 33/26

FI (4件)：

H05B 33/10 ,  H05B 33/02 ,  H05B 33/04 ,  H05B 33/26 Z

Fターム (14件)：

3K007AB05 ,  3K007AB15 ,  3K007AB18 ,  3K007BB01 ,  3K007BB02 ,  3K007CA05 ,  3K007CA06 ,  3K007CB01 ,  3K007DA01 ,  3K007DB03 ,  3K007EA01 ,  3K007EB00 ,  3K007EC00 ,  3K007FA02