特許

J-GLOBAL ID：200903028344048328

CuInSe2 薄膜の形成方法

発明者： 藤澤 広幸
出願人/特許権者： 株式会社富士電機総合研究所
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-195588
公開番号（公開出願番号）：特開平5-039562
出願日： 1991年08月06日
公開日（公表日）： 1993年02月19日
要約：

【要約】【目的】セレン化法でCuInSe2 薄膜を形成する際に、Cu/In積層薄膜やCu-In合金薄膜の平坦性あるいはCu/In組成比の均一性が悪いため良好な膜特性が得られない問題を解決する。【構成】Cu薄膜上にIn薄膜を積層する際に基板に超音波振動を加えるかあるいはCuおよびInの同時蒸着の際に基板に超音波振動を加えると平坦で均一なCu/In組成比をもつCu-In合金薄膜ができる。またCu, In薄膜を積層したのち基板に超音波振動を加えながら加熱処理すると平坦で均一な組成比をもつCu-In合金薄膜ができる。これらのCu-In合金薄膜をセレン化すると均一なCu/In組成比をもつ、膜特性の良いCuInSe2 薄膜が得られる。

請求項（抜粋）：

基板上に銅薄膜およびインジウム薄膜を積層し、その積層薄膜をセレン化することによりCuInSe2 薄膜を形成する方法において、In薄膜を成膜する際に基板に超音波振動を加えることを特徴とするCuInSe2 薄膜の形成方法。

IPC (3件)：

C23C 14/06 ,  H01L 21/203 ,  H01L 31/04

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-231313
  
• 特開昭63-149368
  
• 特開平2-019463
  
• 特開平3-162566