特許
J-GLOBAL ID：200903028351002040
プラズマ測定方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
本庄 武男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-055358
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263180
出願日： 1994年03月25日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：
【要約】【目的】 プラズマの均一性の確保と非接触によるプラズマ中の電子密度の測定を同時に達成する。【構成】 マイクロ波を真空容器中に導入しプラズマを発生させるとマイクロ波の一部は該プラズマに吸収されるが,一部はプラズマに反射される。この反射マイクロ波の量は円偏波変換手段の導波管への取付角度により変化し,ある取付角度で極小(最適値)となる。このような反射マイクロ波の量は,反射マイクロ波測定手段により測定され,適宜の駆動手段により円偏波変換手段が,反射マイクロ波の量が最小となる角度に取り付けられる。その取付角度に基づいてその時のプラズマ電子密度が算出される。
請求項（抜粋）：
磁場の印加された真空容器に接続された導波管に,該導波管中を伝播するマイクロ波を円偏波に変換する円偏波変換手段が,該導波管に対する取付角度可変に設けられ,円偏波に変換されたマイクロ波を処理ガスが導入された前記真空容器内に供給することにより,前記処理ガスをプラズマ化するプラズマ処理装置におけるプラズマの測定方法において,前記導波管内の前記円偏波変換手段よりマイクロ波の導入方向上流部に,前記真空容器内からのマイクロ波の反射波の強度を測定する反射波測定手段を設け,該反射波測定手段からの測定信号に基づいて前記反射波の強度が最小となるように前記円偏波変換手段の導波管に対する取付角度を調整し,その時の上記取付角度に基づいてプラズマ処理装置におけるプラズマ中の電子密度を演算することを特徴とするプラズマ測定方法。
IPC (4件)：
H05H 1/00
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
, H05H 1/46
