特許
J-GLOBAL ID：200903028355033780
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 哲也 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-016998
公開番号（公開出願番号）：特開平5-217891
出願日： 1992年01月31日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】【目的】アモルファス・シリコン膜の結晶化に伴って発生する結晶核の生成速度を低下し、結晶粒径が十分に大きい多結晶シリコン膜を形成することが可能な、半導体装置の製造方法を提供する。【構成】基板1上にアモルファス・シリコン膜3を形成し、アモルファス・シリコン膜3上に、薄い酸化膜4を形成した後、これに熱処理を行い、前記アモルファス・シリコン膜3を結晶化させ、結晶粒径の大きい多結晶シリコン膜5を形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に、多結晶シリコン膜が形成された半導体装置の製造方法において、前記多結晶シリコン膜は、基板上にアモルファス・シリコン膜を形成し、当該アモルファス・シリコン膜上に、薄い酸化膜を形成した後に、該アモルファス・シリコン膜を結晶化して形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/20
, H01L 21/336
, H01L 29/784
