特許
J-GLOBAL ID：200903028371699527
固体撮像装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小笠原 史朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-169750
公開番号（公開出願番号）：特開2005-006201
出願日： 2003年06月13日
公開日（公表日）： 2005年01月06日
要約：
【課題】動作温度が変動しても、安定した高い飽和電荷量を有する固体撮像装置を提供する。【解決手段】基板バイアス供給回路20aは、互いに異なる温度特性を有するMOSトランジスタ抵抗21とポリシリコン抵抗22とを用いて電源電圧を抵抗分割することにより、負の温度特性を有する基板バイアス電圧を求める。求めた基板バイアス電圧をn型半導体基板11に印加することにより、温度変動に伴う飽和電荷量の変動を防止し、高温時に発生しやすいブルーミング現象を防止することができる。また、CCDの表面温度に基づき基板バイアス電圧を制御することにより、より正確に飽和電荷量を制御することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
入射光の強度に応じた電気信号を出力する固体撮像装置であって、
ある導電型を有する半導体基板と、
前記半導体基板と逆の導電型を有し、前記半導体基板の一主面に設けられた半導体層と、
前記半導体基板と同じ導電型を有し、前記半導体層内に形成され、入射光の強度に応じた量の電荷を蓄積する電荷蓄積部と、
前記電荷蓄積部に蓄積された電荷を読み出して電気信号を出力する電荷読み出し部と、
前記半導体基板と前記半導体層とに対して逆バイアスとなる基板バイアス電圧を供給する基板バイアス供給回路とを備え、
前記基板バイアス供給回路は、負の温度特性を有し、かつ、前記半導体基板の前記主面に設けられていることを特徴とする、固体撮像装置。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H04N5/335 P
, H04N5/335 E
, H04N5/335 F
, H01L27/14 A
4M118AA02
, 4M118AA05
, 4M118AB01
, 4M118BA13
, 4M118BA14
, 4M118CA03
, 4M118FA12
, 4M118FA13
, 4M118FA26
, 4M118FA33
, 4M118FA50
, 4M118GB11
, 5C024AX01
, 5C024CX12
, 5C024GX03
, 5C024GY01
, 5C024GY31
, 5C024GZ02
, 5C024HX02
