特許

J-GLOBAL ID：200903028371940836

III族窒化物の結晶成長方法および結晶成長装置

発明者： 岩田 浩和 ,  皿山 正二 ,  島田 昌彦 ,  山根 久典 ,  新木 隆司
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-009651
公開番号（公開出願番号）：特開2003-212696
出願日： 2002年01月18日
公開日（公表日）： 2003年07月30日
要約：

【要約】【課題】 安定してIII族窒化物の結晶成長を行なう。【解決手段】 反応容器12内で、アルカリ金属とIII族金属を含む物質とが混合融液24を形成し、該混合融液24と少なくとも窒素を含む物質とから、III族金属と窒素とから構成されるIII族窒化物25を結晶成長させるときに、反応容器12は、混合融液24と接する部分が緻密質の材質で構成されている。

請求項（抜粋）：

反応容器内で、アルカリ金属とIII族金属を含む物質とが混合融液を形成し、該混合融液と少なくとも窒素を含む物質とから、III族金属と窒素とから構成されるIII族窒化物を結晶成長させるIII族窒化物の結晶成長方法において、混合融液と接する部分を緻密質の材質で構成した反応容器内で、III族窒化物を結晶成長させることを特徴とするIII族窒化物の結晶成長方法。

IPC (2件)：

C30B 29/38 ,  C30B 7/06

FI (2件)：

C30B 29/38 D ,  C30B 7/06

Fターム (10件)：

4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077CB01 ,  4G077CB06 ,  4G077EA02 ,  4G077EA04 ,  4G077EA06 ,  4G077EG02 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12

引用特許：

審査官引用 (4件)

• III族窒化物結晶および結晶成長方法および結晶成長装置およびIII族窒化物半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-175577   出願人：株式会社リコー
• 結晶成長方法および結晶成長装置および立方晶系III族窒化物結晶および半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-295039   出願人：株式会社リコー
• ナトリウム-硫黄電池の陰極室
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-050128   出願人：株式会社ユアサコーポレーション
• 特表平2-504530