特許
J-GLOBAL ID：200903028376003865
半導体素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-327259
公開番号（公開出願番号）：特開平9-167857
出願日： 1995年12月15日
公開日（公表日）： 1997年06月24日
要約：
【要約】【課題】 素子の内部抵抗を低減し、内部の熱発生を抑制することによって、素子信頼性の向上をはかる。【解決手段】 窒化物化合物半導体からなる発光ダイオードにおいて、サファイア基板201上に形成されたAl薄膜層202と、このAl薄膜層202上に形成されたAlNバッファ層203と、このAlNバッファ層203上に形成されたGaN系化合物半導体の積層構造(n-GaN層204,n-InGaN層205,pGaN層206)と、n-GaN204及びp-GaN206上に形成された電極207とを備えている。
請求項（抜粋）：
絶縁性の単結晶基板と、この単結晶基板上に形成された金属薄膜層と、この金属薄膜層上に形成された半導体積層構造部とを具備してなることを特徴とする半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, H01L 27/12 S
