金属酸化物半導体の製造方法及びこれを用い作製された酸化物半導体薄膜を用いた薄膜トランジスタ

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-219623
公開番号（公開出願番号）：特開2009-054763
出願日： 2007年08月27日
公開日（公表日）： 2009年03月12日
要約：

【課題】本発明の目的は、キャリア移動度や安定性が高い金属酸化物半導体を得ることにあり、更に生産効率が向上した金属酸化物半導体の製造方法を得ることにあり、これを用いて安定に動作する薄膜トランジスタ(TFT)素子を得ることにある。【解決手段】基板上に、金属酸化物半導体の前駆体を含む薄膜を形成した後、該薄膜に対し、還元処理を行った後、酸化処理を施すことを特徴とする金属酸化物半導体の製造方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

基板上に、金属酸化物半導体の前駆体を含む薄膜を形成した後、該薄膜に対し、還元処理を行った後、酸化処理を施すことを特徴とする金属酸化物半導体の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , C01G 19/00 , C01G 15/00

FI (4件)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 618A , C01G19/00 A , C01G15/00 B

Fターム (48件)：

5F110AA01 , 5F110AA06 , 5F110AA14 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF24 , 5F110FF26 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG04 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN24

引用特許：

出願人引用 (1件)

金属酸化物半導体薄膜及びその製法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-378118 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所

前のページに戻る