特許
J-GLOBAL ID：200903028387324973
P-チャネル・トレンチMOSFET
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊藤 進
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-117092
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354794
出願日： 1999年04月23日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：
【要約】【課題】オン抵抗を低減させて、損失を少なくする。【解決手段】トレンチ技術を使用した低電圧P-チャンネル・パワーMOSFETは、エピタキシャル成長でデポジットされた一定の濃度のNチャンネル領域を複数のトレンチの側壁に隣接させて有している。一定の濃度のチャンネル領域は、P+基板の上にデポジットされ、P+ソース領域を各トレンチの上部で受け入れている。ソースコンタクトは、ソース領域とチャンネル領域の双方に接続されて一方向伝導性デバイスとなり、ソース領域のみに接続されて双方向性デバイスとなる。
請求項（抜粋）：
ソース及びドレイン間に配置された一の伝導形からなる垂直反転チャネルを有したP-チャネル・トレンチMOSFETであって、ゲート酸化及びその上のゲートコンタクトは、前記垂直反転チャネル長さに亘って延長し、かつ前記反転チャネルの一の伝導形を反転させるよう実施可能であり、前記垂直反転チャネルは、その全長に亘って一定の濃度を有していることを特徴とするP-チャネル・トレンチMOSFET。
FI (3件)：
H01L 29/78 652 E
, H01L 29/78 652 M
, H01L 29/78 653 A
