特許
J-GLOBAL ID：200903028397676487
β-FeSi2の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
鈴木 利之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-081963
公開番号（公開出願番号）：特開2004-289045
出願日： 2003年03月25日
公開日（公表日）： 2004年10月14日
要約：
【課題】溶融塩法を用いてFeSi基板上にβ-FeSi2を形成することにより,気相堆積装置などの大掛かりな装置を必要とすることなく,また,FeやSiを溶かすほどの高温にすることもなく,簡単な装置を用いて,β-FeSi2を大面積でも安価に製造する。【解決手段】Si原子とフッ素原子とを含む溶融塩をFeSi基板に接触させて,これを前記溶融塩の融点から937°Cまでの温度範囲内に所定時間維持することでFeSi基板上にβ-FeSi2を形成する。溶融塩の材料としては,NaClを基塩にして,これにNaFとNa2SiF6を加え,さらに,Si粉末を添加する。この溶融塩材料とFeSi基板10とをるつぼ12に入れて900°Cで例えば1時間維持すると,厚さが8μm程度のβ-FeSi2薄膜がFeSi基板上に形成される。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
Si原子とフッ素原子とを含む溶融塩をFeSi基板に接触させて,これを前記溶融塩の融点から937°Cまでの温度範囲内に所定時間維持することにより,前記FeSi基板上にβ-FeSi2を形成することを特徴とするβ-FeSi2の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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