特許
J-GLOBAL ID：200903028402349910
GaAs単結晶の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
荒船 博司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-001981
公開番号（公開出願番号）：特開平10-194898
出願日： 1997年01月09日
公開日（公表日）： 1998年07月28日
要約：
【要約】【課題】 ウェハーの研磨加工後に、結晶性に起因する四角形状のピットが出現するのを防止可能なGaAs単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】 Ga及びAsを含む融液を毎時5mm以上50mm以下の固化速度で単一の方向に向かって凝固させ、得られた固体のうち固化率が95%以下の部分のみを単結晶育成用の前記原料として用いることにより、単結晶育成用の原料を極めて高純度とし、ウェハーの研磨加工後にその表面に四角形状のピットが出現するのを防ぐ。
請求項（抜粋）：
原料としてGaAsの結晶を用い、該原料を加熱融解して得られた原料融液を徐々に固化させることにより、GaAs単結晶を育成するにあたって、Ga及びAsを含む融液を毎時5mm以上50mm以下の固化速度で単一の方向に向かって凝固させ、得られた固体のうち固化率が95%以下の部分を単結晶育成用の前記原料として用いることを特徴とするGaAs単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B 29/42
, C30B 15/00 Z
