特許

J-GLOBAL ID：200903028404146332

熱電半導体焼結体の製造方法

発明者： 榊原 務 ,  戎森 一雄
出願人/特許権者： アイシン精機株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-033818
公開番号（公開出願番号）：特開2001-223397
出願日： 2000年02月10日
公開日（公表日）： 2001年08月17日
要約：

【要約】【課題】 熱電半導体の焼結体の配向性を向上させること。【解決手段】 熱電半導体結晶の粉末又は該粉末の圧粉体を熱間押出成形して押出成形体を作製し、次いで、複数の押出成形体を熱間押出成形における押出方向とは垂直な方向に加圧すると同時にこれらの押出成形体に通電して焼結する。押出成形体を加圧中に通電することで、自己発熱による押出成形体の構成元素の拡散が抑制される。このため構成元素の拡散に伴うc面の配向度の低下が抑制され、その結果、c面の配向性が向上される。

請求項（抜粋）：

熱電半導体結晶の粉末又は該粉末の圧粉体を熱間押出成形して押出成形体を作製する熱間押出工程と、前記熱間押出工程にて作製された複数の押出成形体を前記熱間押出成形における押出方向とは垂直な方向に加圧すると同時にこれらの押出成形体に通電することにより焼結する加圧通電工程とを含むことを特徴とする熱電半導体焼結体の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 35/34 ,  B22F 3/14 101 ,  B22F 3/20 ,  H01L 35/16

FI (4件)：

H01L 35/34 ,  B22F 3/14 101 A ,  B22F 3/20 A ,  H01L 35/16

Fターム (5件)：

4K018AA40 ,  4K018BA20 ,  4K018EA22 ,  4K018EA32 ,  4K018KA32