特許

J-GLOBAL ID：200903028404550257

半導体集積回路装置の製造方法

発明者： 高田 裕二
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-228110
公開番号（公開出願番号）：特開2001-053150
出願日： 1999年08月12日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：

【要約】【課題】 絶縁膜に形成された溝部内に埋込配線形成用の導体膜を良好に埋め込む。【解決手段】 スピン装置に半導体基板1aを設置後、ロータ104を回転させ、シャフト100が半導体基板1aの中央部から端部の配線上面にノズル101を往復し純水102を吹きかけ、導体膜が形成される溝部内に純水102を充満させ気泡抜きを行う。

請求項（抜粋）：

(a)半導体基板上の絶縁膜に形成された配線溝または前記配線溝中に形成された接続孔を含む配線面に液体を充満させる工程、(b)前記半導体基板の配線面にメッキを行ない、前記配線面上に導体膜を形成する工程、(c)前記配線溝の外部の前記導体膜を化学的および機械的に研磨して、前記配線溝部内に前記導体膜を残すことにより、埋込配線を形成する工程、を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/288

FI (3件)：

H01L 21/90 A ,  H01L 21/288 E ,  H01L 21/90 C

Fターム (60件)：

4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104CC01 ,  4M104DD08 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD19 ,  4M104DD37 ,  4M104DD52 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104HH13 ,  5F033HH04 ,  5F033HH11 ,  5F033HH19 ,  5F033HH27 ,  5F033HH28 ,  5F033HH29 ,  5F033HH30 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK01 ,  5F033KK11 ,  5F033KK19 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033KK34 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033SS08 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033TT08 ,  5F033XX02