特許
J-GLOBAL ID:200903028415893903

半導体装置及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 伊東 忠彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-068178
公開番号(公開出願番号):特開2004-281530
出願日: 2003年03月13日
公開日(公表日): 2004年10月07日
要約:
【課題】本発明はレンズの汚れを防止し、且つ光軸の位置合わせを高精度に行えることを課題とする。【解決手段】半導体装置40は、基板42の上面にバンプ44を介してレンズ板46が固定される。基板42の下面には、発光素子48がバンプ50及び透明樹脂材52を介して固定される。基板42の上下面には、バンプ44,50が接続される金属膜42b,42cが設けられている。製造工程において、レンズ板46のレンズ部46aの光軸を発光素子48のレーザダイオード48aの光軸に一致させる調整作業を行う。その際、レンズ板46のアライメントマークと基板42のアライメントマークとが一致した状態で超音波をバンプ44に伝播させて基板42の金属膜42bに接続する。これにより、レンズ板46は、接着剤等で汚れることが防止されると共に、光軸の位置合わせが容易に行える。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
光電変換または電光変換を行なう半導体素子と、 前記半導体素子を搭載する基板と、 前記半導体素子に入射或いは前記半導体素子から出射する光を制御する光学部品とを備えた半導体装置において、 前記光学部品を前記基板にバンプを用いて固定したことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件):
H01L31/12 ,  G02B6/42 ,  H01L27/14
FI (3件):
H01L31/12 G ,  G02B6/42 ,  H01L27/14 D
Fターム (28件):
2H037AA01 ,  2H037BA03 ,  2H037BA12 ,  2H037DA03 ,  2H037DA04 ,  2H037DA05 ,  2H037DA06 ,  4M118AA08 ,  4M118AA10 ,  4M118BA03 ,  4M118GD02 ,  4M118HA03 ,  4M118HA12 ,  4M118HA20 ,  4M118HA23 ,  4M118HA24 ,  4M118HA30 ,  4M118HA31 ,  4M118HA33 ,  5F089AA01 ,  5F089AB08 ,  5F089AC09 ,  5F089AC10 ,  5F089AC17 ,  5F089AC24 ,  5F089CA20 ,  5F089EA01 ,  5F089EA08

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