特許

J-GLOBAL ID：200903028417230901

半導体装置の絶縁膜形成方法

発明者： 白石 忠義 ,  小田 宗隆
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-149500
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343421
出願日： 1992年06月09日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、絶縁耐圧に優れたゲート絶縁膜を形成する方法を得ることを目的とする。【構成】 ウエハ(4)をRCA洗浄またはHF洗浄した後、急速加熱装置の石英チューブ(1)内に設置する。この石英チューブ(1)はハロゲンランプ(2)を備え、さらに高圧容器内に設けられている。絶縁膜形成時には、石英チューブ(1)内に、N2 Oガス及びH2 ガスを制御しながら導入する。このときの条件は、N2 Oガス流量9 l/min、H2 ガス流量1 l/min、反応温度950°Cである。これにより、ウエハ(4)に形成された酸化窒化膜は、90オングストロームの膜厚を有するものとなり、さらに、そのウエハ(4)との界面は、凹凸の少ない平坦性に優れた状態とすることができた。

請求項（抜粋）：

窒素元素及び酸素元素を含むガスと所定量の水素元素を含むガスの混合ガス雰囲気中で、シリコン基板を熱処理することにより、前記シリコン基板の表面に、窒素元素と水素元素を含有する酸化絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の絶縁膜形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/318

FI (2件)：

H01L 29/78 301 P ,  H01L 29/78 301 G