特許

J-GLOBAL ID：200903028417784907

気相成長装置および該装置を用いた気相成長方法

発明者： 澤田 亮 ,  江部 広治
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-023681
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226252
出願日： 1992年02月10日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：

【要約】【目的】 気相成長装置および該装置を用いた気相成長方法に関し、複数種類の原料ガスを用いて多層構造に組成の異なる結晶を気相成長する際、直前に気相成長した際に用いた原料ガスと、その直後に気相成長する際に用いる原料ガス同士が互いに混合しないようにした装置、および方法の提供を目的とする。【構成】 基板4を載置し、該基板4を加熱する基板支持台3を収容した反応容器1内に原料ガスを導入し、該基板4を加熱して前記反応容器1内に導入された原料ガスを加熱分解し、該加熱分解した原料ガスの成分を基板4上に付着させる装置に於いて、前記基板支持台3に上下に移動する上下移動機構12を付設し、該基板4の表面と前記反応容器1の上部内壁面1Aとの間の距離を可変に制御できるようにして構成する。

請求項（抜粋）：

基板(4) を載置し、該基板(4) を加熱する基板支持台(3) を収容した反応容器(1) 内に原料ガスを導入し、該基板(4) を加熱して前記反応容器(1) 内に導入された原料ガスを加熱分解し、該加熱分解した原料ガスの成分を基板(4) 上に付着させる装置に於いて、前記基板支持台(3) に上下に移動する上下移動機構(12)を付設し、該基板(4)の表面と前記反応容器(1) の上部内壁面(1A)との間の距離を可変に制御できるようにしたことを特徴とする気相成長装置。