特許

J-GLOBAL ID：200903028420478574

半導体装置のバンプ構造及びその製造方法

発明者： 伊藤 俊広
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-138818
公開番号（公開出願番号）：特開2002-334897
出願日： 2001年05月09日
公開日（公表日）： 2002年11月22日
要約：

【要約】【課題】熱応力に強く、クラックを発生させ難い、かつ、鉛フリー実装が可能な高信頼性の半導体装置のバンプ構造を提供する。【解決手段】絶縁膜11上にパッシベーション膜12に囲まれた外部接続用のアルミニウムを主成分とする電極パッド13が形成されている。電極パッド13上に拡散防止用としてCr層14が密着形成され、Cr層14上に第1のCu層15、第2のCu層16が積層され密着形成されている。第2のCu層16にはSn-Ag系溶融成形層17が密着形成されている。

請求項（抜粋）：

半導体装置におけるアルミニウムを主成分とする外部接続用電極上に密着形成されたCr層と、前記Cr層上に密着形成されたCu層と、前記Cu層上に密着形成されたSn-Ag系溶融成形層と、を具備したことを特徴とする半導体装置のバンプ構造。

IPC (3件)：

H01L 21/60 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/308

FI (7件)：

H01L 21/308 F ,  H01L 21/92 603 B ,  H01L 21/92 604 B ,  H01L 21/88 T ,  H01L 21/92 602 F ,  H01L 21/92 604 N ,  H01L 21/92 604 Q

Fターム (19件)：

5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH14 ,  5F033HH17 ,  5F033MM08 ,  5F033MM14 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ69 ,  5F033QQ73 ,  5F033VV07 ,  5F033XX13 ,  5F033XX17 ,  5F033XX28 ,  5F043AA26 ,  5F043BB15 ,  5F043GG04