特許
J-GLOBAL ID：200903028420966161
酸化物超電導薄膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-117203
公開番号（公開出願番号）：特開平6-334230
出願日： 1993年05月19日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：
【要約】【目的】 基材の材質および結晶性に依存することなく、長尺なテープ状基材上に結晶性に優れた酸化物超電導薄膜を安定的に形成できる方法を提供することである。【構成】 ブルーム5中の化学種が基材表面に付着するのを防止できるマスク2を基材1上に設ける。基材1を連続的に矢印Aの方向に移動させていくことにより、マスク2に覆われる部分を結晶成長のための環境下に送り出していく。この際、マスク2と結晶成長のための環境との境界領域に直線状に集光したレーザビーム6を照射しながら、基材上においてマスク2下から新たに送り出される部分に酸化物超電導材料からなる薄膜を堆積させる。
請求項（抜粋）：
基材上の連続する領域に酸化物超電導体の薄膜を気相より形成するための方法であって、前記気相中の化学種が前記基材に付着することを防止できるマスクを設け、前記基材を前記マスクに対して相対的に移動させていくことにより、結晶成長させるべき前記基材の連続する領域で前記マスクに覆われる部分が、結晶成長のための環境に連続的に送り出され、かつ前記基材を前記マスクに対して相対的に移動させていくに際して、前記基材において前記マスクで覆われる部分と前記結晶成長のための環境に晒される部分との境界領域に、直線状に集光されたレーザビームを照射することを特徴とする、酸化物超電導薄膜の形成方法。
IPC (12件)：
H01L 39/24 ZAA
, H01L 39/24
, B01J 19/08 ZAA
, B01J 19/12 ZAA
, C01G 1/00
, C01G 3/00 ZAA
, C23C 14/08 ZAA
, C30B 23/04
, C30B 23/08 ZAA
, C30B 29/22 501
, H01B 13/00 565
, H01B 12/06 ZAA
