特許
J-GLOBAL ID：200903028421816830
半導体レーザを含む装置及びレーザの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-296203
公開番号（公開出願番号）：特開平9-167880
出願日： 1996年11月08日
公開日（公表日）： 1997年06月24日
要約：
【要約】【課題】 半導体レーザを含む素子及びレーザの製造方法を提供する。【解決手段】 新しい不活性化層により、2つのレーザファセットにより規定されるレーザキャビティを有する半導体レーザの信頼性を改善する。本発明の実施例においては、不活性化層は、セレン化亜鉛(例、5nm厚)であり、基本的に無汚染のレーザファセット上に形成される。一般的に、この不活性化層は少なくともMg、Zn、Cd、Hgの中の1つの元素と、少なくともS、Se、Teの中の1つの元素を含む。一般的にファセットは真空中での劈開により形成され、その後すぐ、インシチュで新しい不活性化層材料がこのファセット上に堆積される。
請求項（抜粋）：
2つのレーザファセットにより規定されるレーザキャビティを有する半導体レーザ(10)を含む装置において、少なくとも1つの前記レーザファセットは、ほぼ無汚染の状態で不活性化層(22)により覆われ、前記不活性化層(22)はMg、Zn、Hgからなるグループから選択される少なくとも1つの元素と、S、Se、Teからなるグループから選択される少なくとも1つの元素を含むことを特徴とする装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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