特許

J-GLOBAL ID：200903028422172049

窒化物系半導体を含む積層体およびそれを用いた電子素子

発明者： 鈴木 敏正 ,  久世 直洋
出願人/特許権者： 鈴木 敏正 ,  旭化成株式会社
代理人 (1件)： 谷 義一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-086133
公開番号（公開出願番号）：特開2004-296717
出願日： 2003年03月26日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：

【課題】基板上に、結晶欠陥がきわめて少なく、結晶性および平坦性にも優れた窒化物系半導体からなる積層体ならびにそれを用いた電子素子の提供。【解決手段】基板と、前記基板上に形成されている多層膜バッファ層と、多層膜バッファ層上に形成された第1窒化物系半導体層とを含む積層体であって、多層膜バッファ層は、第1のIII族窒化物XNと、第2のIII族窒化物ZN(X≠Z)と、XαZ1-αN(0<α<1)からなる混晶層とを含み、多層膜バッファ層は、XN/XαZ1-αN/ZN/XαZ1-αNからなる1つまたは複数の積層構造を有することを特徴とする積層体。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に形成されている多層膜バッファ層と、前記多層膜バッファ層上に形成された第1窒化物系半導体層とを含む積層体であって、 前記多層膜バッファ層は、第1のIII族窒化物XNと、第2のIII族窒化物ZN(X≠Z)と、XαZ1-αN(0<α<1)からなる混晶層とを含み、 前記多層膜バッファ層は、XN/XαZ1-αN/ZN/XαZ1-αNからなる1つまたは複数の積層構造を有することを特徴とする積層体。

IPC (4件)：

H01L21/338 ,  H01L21/205 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

FI (2件)：

H01L29/80 H ,  H01L21/205

Fターム (33件)：

5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD11 ,  5F045AD14 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045BB12 ,  5F045CA01 ,  5F045CA06 ,  5F045CA09 ,  5F045CA13 ,  5F045DA53 ,  5F045EB15 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ09 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GS02 ,  5F102GT01 ,  5F102HC01