特許
J-GLOBAL ID：200903028430661601
デュアルゲートおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-065624
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260509
出願日： 1996年03月22日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：
【要約】【課題】 熱処理によって、ポリサイド中の不純物がシリサイド層と通じて相互拡散を起こしてため、ゲートを構成する多結晶シリコンの仕事関数が変化してしきい値電圧Vthが変動するという課題を生じる。【解決手段】 p型の導電層15p とそれに接合するn型の導電層15n とを設け、p型の導電層15p 上に第1金属シリサイド層16(16a) を形成するとともにn型の導電層15n 上とに第2金属シリサイド層16(16b) を形成し、p型の導電層15p とn型の導電層15n との境界上の金属シリサイド層16に溝17を形成し、溝17の内部に、少なくとも第1,第2金属シリサイド層16a,16b を分離するとともに第1,第2金属シリサイド層16a,16b 間で起きる不純物の相互拡散を阻止する導電性の金属系材料からなる埋め込み導電層20を形成した構成のものである。
請求項（抜粋）：
導電層の一方に形成した第1導電型の導電層と、前記第1導電型の導電層に接合するもので前記導電層の他方に形成した前記第1導電型とは逆導電型である第2導電型の導電層と、前記第1導電型の導電層上および前記第2導電型の導電層上に形成した金属シリサイド層と、前記第1導電型の導電層と前記第2導電型の導電層との境界上の前記金属シリサイド層に形成した溝と、少なくとも前記第1金属シリサイド層と前記第2金属シリサイド層とを分離する状態に前記溝の内部に形成されたものであって前記第1金属シリサイド層と前記第2金属シリサイド層との間で起きる不純物の相互拡散を阻止する導電性の金属系材料からなる埋め込み導電層とを備えたことを特徴とするデュアルゲート。
IPC (3件)：
H01L 21/8238
, H01L 27/092
, H01L 21/28 301
H01L 27/08 321 D
, H01L 21/28 301 T
