特許
J-GLOBAL ID:200903028431285735
ゴム弾性体にICチップを埋め込む方法、及びセンシング機能を強化する方法。
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-180315
公開番号(公開出願番号):特開2004-345339
出願日: 2003年05月21日
公開日(公表日): 2004年12月09日
要約:
【課題】ゴム弾性体に、市販のICチップ又は、センサー及びICチップ及び関係回路を含むマイクロシステム(以下ISMと略す)を埋め込む場合の新しい技術と、ゴム弾性体がセンシング機能を強化する方法を提供する。【解決手段】先ずISMをゴムに埋め込む為に第1層の未加硫ゴム8の上表面に所定のISMが十分収納できる刻印空間9を刻印し、この中に加硫ゴムチップ11とISM10を入れる。この際できるだけISMを前記刻印空間の真中に位置するように加硫ゴムを周りに入れることが望ましい、加硫ゴムはJIS硬度50以下のものが良く、硬度が70以上なるとISMの部品に損傷を与える恐れがある。前記刻印空間にISMと加硫ゴムチップを空間いっぱいに充填した後、その上に第2層の未加硫ゴム12を載せ改め用意した金型で加温、加圧成形を行う。前記刻印空間のISMが70°C以上に達しないように、またISMの各部品に50kg/Cm2以上の圧力がかからないようにする為、加硫温度と加硫時間を調整する。【選択図】図4
請求項(抜粋):
センサチップを含むICチップ及び電源チップを(以下、イテティグレイティドセンサーマイクロシステム、略してISMと称す。)ゴム弾性体に埋め込む手段として第1層の未加硫ゴムの表面からISMの体積以上の空間を刻印して、そこに封印するか(以下、刻印空間と称す)改め、前記ISMを封印した加硫ゴムのキャプセル(以下、キャプセルと称す)を前記未加硫ゴムの表面に押し込み、その上部に第2層の未加硫ゴムを載せこの第2層の、未加硫ゴム表面にセンシング誘導形状(以下、誘導路と称す)及び放熱口が形成できる様に加温、加圧で成形を行うICチップの埋め込み方法とセンシング機能を強化する方法。(以下、本ゴム弾性体の製造方法と称す)
IPC (5件):
B29C35/02
, B60C19/00
, F16J12/00
, F17D5/06
, H01L21/56
FI (6件):
B29C35/02
, B60C19/00 G
, F16J12/00 Z
, F17D5/06
, H01L21/56 Z
, F16L55/00 D
Fターム (28件):
3J046AA11
, 3J046BD01
, 3J046BD05
, 3J046CA03
, 3J046DA05
, 3J046EA01
, 3J071AA02
, 3J071CC07
, 3J071DD30
, 3J071EE07
, 3J071EE22
, 3J071EE28
, 3J071EE37
, 3J071EE38
, 3J071FF01
, 4F203AA45
, 4F203AC03
, 4F203AD18
, 4F203AG08
, 4F203AG21
, 4F203DA11
, 4F203DB11
, 4F203DC01
, 4F203DJ05
, 5F061AA04
, 5F061BA07
, 5F061CA22
, 5F061GA05
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