特許

J-GLOBAL ID：200903028432906377

半導体ウェーハのドライエッチング方法およびエピタキシャルウェーハの製造方法

発明者： 大槻 剛 ,  篠宮 勝
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 石原 詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-186060
公開番号（公開出願番号）：特開2002-009051
出願日： 2000年06月21日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
要約：

【要約】【課題】 絶縁膜のドライエッチング(反応性イオンエッチング)により生じたダメージを微細パターンであっても除去する技術を提供し、エッチング後の表面にエピタキシャル層を形成しても結晶欠陥の発生が抑制されたエピタキシャルウェーハを製造することのできる方法を提供する。【解決手段】 半導体ウェーハの表面に絶縁膜を形成し、該絶縁膜表面に所定の開口部を有するドライエッチング用マスクを形成し、該マスクの開口部に露出する前記絶縁膜を第1のドライエッチングにより除去した後、前記半導体ウェーハ表面に存在する前記第1のドライエッチングによるエッチングダメージ層を除去するための第2のドライエッチングを行うようにした。

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハの表面に絶縁膜を形成し、該絶縁膜表面に所定の開口部を有するドライエッチング用マスクを形成し、該マスクの開口部に露出する前記絶縁膜を第1のドライエッチングにより除去した後、前記半導体ウェーハ表面に存在する前記第1のドライエッチングによるエッチングダメージ層を除去するための第2のドライエッチングを行うことを特徴とする半導体ウェーハのドライエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/302 F ,  H01L 21/302 N

Fターム (19件)：

5F004AA07 ,  5F004BA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA16 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DB01 ,  5F004DB03 ,  5F004EA06 ,  5F004FA03 ,  5F004FA08 ,  5F045AD15 ,  5F045AF03 ,  5F045BB12 ,  5F045HA03 ,  5F045HA05 ,  5F045HA10