半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：則近憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-236256
公開番号（公開出願番号）：特開平8-102462
出願日： 1994年09月30日
公開日（公表日）： 1996年04月16日
要約：

【要約】【目的】本発明は、耐熱性に優れ、しかも寸法制御性の高い低抵抗配線あるいは電極を有する半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。【構成】最下層に多結晶ケイ素膜12、その上に炭化ケイ素膜15、さらにその上に高融点金属膜13を積層した3層構造を採用することにより、高融点金属と多結晶ケイ素の反応が抑制され、かつ高融点金属膜は選択的に加工される。

請求項（抜粋）：