特許
J-GLOBAL ID：200903028440646457
EL素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-173725
公開番号（公開出願番号）：特開平8-012970
出願日： 1994年07月01日
公開日（公表日）： 1996年01月16日
要約：
【要約】【目的】スパッタ法によらない三元化合物発光層を有するEL素子の製造方法を提供すること。【構成】発光層材料から構成されるターゲット24から堆積原子を飛散せしめるために、スパッタ法ではなくレーザアブレーション法を用いる。レーザアブレーション法では、ターゲット表面がレーザ光により局所的に急激に加熱されるため、飛散原子の組成比が、三元化合物構成のターゲット24を構成する各原子の蒸気圧やスパッタ収量等にほとんど依存せず、ターゲット24の組成比を反映したものになる。従って、スパッタ法でEL素子の発光層の成膜時に生じていたカルシウム(Ca)とガリウム(Ga)の組成比のずれは発生しない。
請求項（抜粋）：
少なくとも光取り出し側を光学的に透明な材料にて形成するEL素子の製造方法で、発光中心元素が賦活されたターゲットが、Aグループの元素、マンガン(Mn)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)、バリウム(Ba)、亜鉛(Zn)、カドミウム(Cd)のいずれかを少なくとも一種以上、およびBグループの元素、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、インジウム(In)のいずれかを少なくとも一種以上、およびCグループの元素、硫黄(S) 、セレン(Se)のいずれか一種、を同時に含む焼結体であって、前記ターゲットにレーザ光を照射して、該ターゲットに対向して配置した基板の上に薄膜を堆積させるレーザアブレーション法で前記EL素子の発光層を形成し、前記発光層の成膜時に、前記基板の近傍を前記Cグループの元素に合わせて硫化雰囲気、またはセレン化雰囲気に保持することを特徴とするEL素子の製造方法。
IPC (4件)：
C09K 11/62 CPN
, C09K 11/00
, H05B 33/10
, H05B 33/14
