特許

J-GLOBAL ID：200903028445504189

受光装置

発明者： 尾崎 和久
出願人/特許権者： 日本ビクター株式会社
代理人 (1件)： 梶原 康稔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-087982
公開番号（公開出願番号）：特開平11-266126
出願日： 1998年03月17日
公開日（公表日）： 1999年09月28日
要約：

【要約】【課題】 信号成分の低下を招くことなく、太陽光などの直流的な妨害光による受光回路のアンプの飽和を防止する。【解決手段】 受光素子PDからの光電流は直流化フィルタ12で直流化されてオフセット分が検出され、コンパレータ14で所定値と比較される。オフセット分が所定値以下であれば、スイッチSWはオフで、I/V変換アンプ22のゲインは固定値であり、受光素子PDのバイアス量がオフセット分に比例して増加するようにバイアス可変回路18で調節される。しかし、コンパレータ16による比較の結果、オフセット分が所定値以上のときは、スイッチSWがオンとなり、I/V変換アンプ22のゲインがオフセット分に比例した量で減少するように制御される。

請求項（抜粋）：

受光素子から出力された光電流のオフセット成分を検出するオフセット検出手段;このオフセット検出手段によって得られたオフセット成分に比例して前記受光素子に供給するバイアス量を調整するバイアス調整手段;前記オフセット検出手段によって得られたオフセット成分を、前記バイアス調整手段によるバイアス量の供給限界に相当する所定値と比較する比較手段;この比較手段によって、前記オフセット成分が前記所定値以上と判断されたときに、前記受光素子出力を増幅するアンプのゲインを、オフセット成分に対応して制御するゲイン制御手段;を含むことを特徴とする受光装置。

IPC (9件)：

H03F 3/34 ,  H03F 3/08 ,  H03G 3/30 ,  H03H 11/02 ,  H04B 10/28 ,  H04B 10/26 ,  H04B 10/14 ,  H04B 10/04 ,  H04B 10/06

FI (6件)：

H03F 3/34 B ,  H03F 3/08 ,  H03G 3/30 B ,  H03G 3/30 C ,  H03H 11/02 A ,  H04B 9/00 Y