特許

J-GLOBAL ID：200903028446189546

半導体装置およびその製造方法

発明者： ロバート・イー・ヒガシ ,  ロバート・ジー・ジョンソン ,  ウルリッチ・ボン ,  ジョン・ピー・サムナー
出願人/特許権者： ハネウエル・インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 山川 政樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-176190
公開番号（公開出願番号）：特開平7-193194
出願日： 1982年10月08日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：

【要約】【目的】 精密な測定ができること【構成】 この装置は、(100)面と<110>方向を有するシリコン半導体基板に、(100)面と実質的に平行な第1の表面に異方性エッチングのみによってくぼみが形成されている。このくぼみ上に<110>方向に対してゼロでない角度に方向づけられた薄膜誘電体部材が懸垂され、第1の表面に対して少なくとも1個所で接続されている。この薄膜誘電体部材は、くぼみの長手方向と実質的に垂直である。

請求項（抜粋）：

(100)面と<110>方向を有し、前記(100)面と実質的に平行な第1の表面に異方性エッチングのみによって形成されたくぼみを有する(100)シリコンからなる半導体基板と、前記<110>方向に対してゼロでない角度に方向付けられ、前記くぼみ上に懸垂され、前記第1の表面に少なくとも1カ所で接続されている薄膜誘電体部材と、前記薄膜誘電体部材に形成された抵抗素子とからなり、前記薄膜誘電体部材は、前記くぼみの長手方向と実質的に垂直であることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  G01N 27/04 ,  G01N 27/12 ,  G01F 1/68 ,  G01P 5/12