特許

J-GLOBAL ID：200903028451057194

半導体装置

発明者： 中島 高士
出願人/特許権者： 株式会社三井ハイテック
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-227099
公開番号（公開出願番号）：特開平9-055447
出願日： 1995年08月11日
公開日（公表日）： 1997年02月25日
要約：

【要約】【目的】 より薄型化、小型化ができ、高周波デバイスに適するギャングボンディング接続のBGA型半導体装置を低コストで得る。【構成】 片面に回路パタ-ンを形成し、他面側に接着剤を介して補強支持材が接着された樹脂性テ-プと、前記回路パタ-ンのリ-ド先端部とギャングボンドで接続した半導体チップと、前記回路パタ-ンに接続した半田ボ-ルとを有する半導体装置において、前記補強支持材と前記半田ボ-ルの中の所定の半田ボ-ルを、前記樹脂性テ-プと前記接着剤層に設けた貫通孔を通して導通させ補強支持材をグランドプレ-ンの機能も兼備させている。

請求項（抜粋）：

片面に回路パタ-ンを形成し、他面側に接着剤を介して補強支持材が接着された樹脂性テ-プと、該樹脂性テ-プに形成された前記回路パタ-ンのリ-ド先端部とギャングボンドで接続した半導体チップと、前記回路パタ-ンに接続した半田ボ-ルとを有する半導体装置において、前記補強支持材と前記半田ボ-ルの中の所定の半田ボ-ルを、前記樹脂性テ-プと前記接着剤層に設けた貫通孔を介して導通し補強支持材にグランドプレ-ンの機能も備えたことを特徴とする半導体装置。