特許
J-GLOBAL ID：200903028458345969
半導体基板の製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
本多 小平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-079638
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283345
出願日： 1992年04月01日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：
【要約】【目的】 半導体のヘテロ成長を行う時に発生する基盤構成元素の成長膜中へのドーピングを抑えることのできる半導体基板の製造装置を提供することを目的としている。【構成】 半導体ヘテロ成長装置内において、成長原料12の流れに対して、半導体基板11を垂直に配置し、さらに基板回転を可能とする機能を持たせる。これにより、基板表側から裏側への流れが生じ、基板表面から気化した基板構成元素13は、基板表側に出て来れず、成長膜16の中に混入することがなくなる。【効果】 半導体基板からの元素ドーピングがなくなり、成長条件およびドーピングガスの導入によって、成長膜の電気特性の制御が可能となる。
請求項（抜粋）：
単元素または多元素から成る半導体材料を基板として、前記基板上に前記基板と異なる単元素または多元素を成分とする半導体材料を気相中または真空中での堆積によって形成する半導体基板製造装置において、前記半導体基板を気相の流れまたは真空中での原子および分子の流れ方向に対して垂直に配置することを特徴とする半導体基板の製造装置。
IPC (2件)：
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