特許
J-GLOBAL ID：200903028458855622
抵抗体および半導体素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
古谷 栄男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-086178
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297368
出願日： 1994年04月25日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：
【要約】【目的】 小さな面積で高抵抗を得られる抵抗体を提供する。【構成】 抵抗体4の抵抗体幅Wは、一端4aから他端4bに近づくにしたがってなめらかに細くなる。一端4aには他端4bより大きい電圧が印加される。抵抗体幅Wが、前記電流経路における消費電力の大きさに応じて変化することにより、高電位が印加される部分の抵抗体幅は幅広となり、比較的低電位が印加される部分の抵抗体幅は幅狭となる。したがって、高電位が印加される部分で、抵抗体4が燃えてしまうおそれを防止できつつ、小さな面積で高抵抗を得ることができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板内または半導体基板表面に形成され、その両端部に所定の電圧が印加されることにより、一端から他端に電流経路を生じる抵抗体において、前記電流経路とほぼ直角方向の抵抗体幅を、前記電流経路における消費電力の大きさに応じて変化させること、を特徴とする抵抗体。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/04 P
, H01L 27/04 R
