特許
J-GLOBAL ID：200903028465056182
パターンの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-122179
公開番号（公開出願番号）：特開平9-134874
出願日： 1996年04月19日
公開日（公表日）： 1997年05月20日
要約：
【要約】【課題】 リソグラフィの限界の解像度の2倍の解像度でパターンを形成することができる様にする。【解決手段】 レジスト12を軟化・変形させ、このレジスト12をマスクにしてSi基体11をエッチングする。そして、レジスト12を途中まで灰化し、Si基体11の露出部にのみ自然酸化膜を形成し、この自然酸化膜をマスクにしてSi基体11をエッチングする。このため、レジスト12の一つのピッチ内の互いに分離された二つの領域においてSi基体11をエッチングすることができる。また、これらの処理を2方向に行うこともできる。
請求項（抜粋）：
第1の幅の被覆部と第2の幅の開口部とが同一の方向へ順次に繰り返されている第1のマスク層を下地上に形成する工程と、前記第1のマスク層を軟化・変形させて、前記被覆部の幅を前記第1の幅よりも広い第3の幅にすると共に、前記開口部の幅を前記第2の幅よりも狭い第4の幅にする工程と、前記第3の幅の被覆部と前記第4の幅の開口部とを有する前記第1のマスク層をマスクにして、前記下地に対して第1のエッチングを行う工程と、前記第1のエッチングの後に、前記第1のマスク層を侵食して、前記被覆部の幅を前記第1の幅よりも狭い第5の幅にすると共に、前記開口部の幅を前記第2の幅よりも広い第6の幅にする工程と、前記侵食の後に、前記開口部から露出している前記下地を覆う第2のマスク層をこの下地に対して自己整合的に形成する工程と、前記第2のマスク層を形成した後に前記第1のマスク層を除去する工程と、前記第1のマスク層を除去した後に、前記第2のマスク層をマスクにして前記下地に対する第2のエッチングを行う工程とを具備することを特徴とするパターンの形成方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/30 571
, G03F 1/08 A
, H01L 21/30 572 A
