多層基板内蔵型半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-199819
公開番号（公開出願番号）：特開平9-051056
出願日： 1995年08月04日
公開日（公表日）： 1997年02月18日
要約：

【要約】【目的】多層基板内蔵型半導体装置において、高信頼性で高歩留まり且つ安価な多層基板内蔵型半導体装置を提供することを目的とする。【構成】多層基板内蔵型半導体装置8に内蔵される多層配線基板1に接続されるリードフレーム6にはデプレスが施されていない。リードフレーム6にデプレスを行う替わりに多層配線基板1のリードフレーム6が接続される部分のみの層方向の厚みを制御する。これにより基板内蔵型半導体装置8に内蔵される多層配線基板1上に搭載されるICチップ2やSMD9の厚みを含めた多層配線基板1の層方向の厚みの中心軸と多層基板内蔵型半導体装置8の層方向の厚みの中心軸が一致する構造が得られる。このように、いかなる場合においてもリードフレーム6にデプレスを行わないため、リードフレーム6と多層配線基板1の配線パターン3接続時に、常に両者が水平な状態で接続が可能である。

請求項（抜粋）：

多層配線基板に形成された電極とリードとが接続され、その接続部を含めた前記多層配線基板がパッケージ内部に内蔵されている多層基板内蔵型半導体装置において、前記電極の接続部が前記基板の層方向において段差を設けて配設されてなることを特徴とする多層基板内蔵型半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/28 , H01L 23/12 , H05K 3/46

FI (4件)：

H01L 23/28 Z , H05K 3/46 Q , H01L 23/12 N , H01L 23/12 F

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