特許
J-GLOBAL ID:200903028478799761
製膜方法および磁気記録媒体の製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
,
代理人 (1件):
岡田 数彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-025035
公開番号(公開出願番号):特開2000-222724
出願日: 1999年02月02日
公開日(公表日): 2000年08月11日
要約:
【要約】【課題】製膜速度が経時的に変動しない様に改良された製膜方法を提供する。【解決手段】製膜室内で真空条件下に加熱されたフィラメント状のカソードとアノードとの間の放電により製膜原料ガスをプラズマ状態とし、そして、マイナス電位により上記のプラズマを基板表面に加速衝突させて製膜する、熱フィラメント-プラズマCVD装置を使用し、製膜室への基板の搬入、製膜、基板の搬出の操作を順次に繰り返して連続的に製膜する方法において、製膜原料ガスとして炭素含有モノマーガスを使用し、炭素が主成分である膜を製膜するに当たり、製膜室内に不活性ガスを導入して不活性ガスプラズマによるフィラメント状カソードのクリーニング処理を行う。
請求項(抜粋):
製膜室内で真空条件下に加熱されたフィラメント状のカソードとアノードとの間の放電により製膜原料ガスをプラズマ状態とし、そして、マイナス電位により上記のプラズマを基板表面に加速衝突させて製膜する、熱フィラメント-プラズマCVD装置を使用し、製膜室への基板の搬入、製膜、基板の搬出の操作を順次に繰り返して連続的に製膜する方法において、製膜原料ガスとして炭素含有モノマーガスを使用し、炭素が主成分である膜を製膜するに当たり、製膜室内に不活性ガスを導入して不活性ガスプラズマによるフィラメント状カソードのクリーニング処理を行うことを特徴とする製膜方法。
IPC (3件):
G11B 5/84
, C23C 16/44
, C23C 16/50
FI (3件):
G11B 5/84 B
, C23C 16/44 J
, C23C 16/50 F
Fターム (13件):
4K030AA04
, 4K030AA09
, 4K030AA10
, 4K030BA27
, 4K030CA02
, 4K030DA06
, 4K030FA01
, 4K030HA04
, 4K030LA20
, 5D112AA07
, 5D112BC05
, 5D112FA10
, 5D112GA22
引用特許:
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