特許
J-GLOBAL ID：200903028484059826
ICの静電破壊保護装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐野 静夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-291364
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140576
出願日： 1992年10月29日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：
【要約】【目的】サージ電圧に対するクランプ電圧の設定が容易であるとともにクランプ電圧を任意の値に設定できるIC静電破壊保護装置を提供する。【構成】電源ライン1とグランド間のサージ電圧から集積回路装置の内部回路を保護するため前記電源ラインとグランド間にツエナーダイオード30を有する静電破壊装置において、半導体基板8の表面内に設けられる逆導電型の半導体層を絶縁層によって21aと21bに分割するとともに前記絶縁層20のパターン寸法によってツエナーダイオード30のクランプ電圧を決めるようにしている。
請求項（抜粋）：
電源ラインとグランド間のサージ電圧から集積回路装置の内部回路を保護するため前記電源ラインとグランド間にツエナーダイオードを有する静電破壊保護装置において、半導体基板の表面内に設けられる逆導電型の半導体層を絶縁層によって分割するとともに前記絶縁層のパターン寸法によってツエナーダイオードのクランプ電圧を決めて成ることを特徴とするICの静電破壊保護装置。
IPC (2件)：
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