特許

J-GLOBAL ID：200903028485386251

ダイヤモンド膜の形成方法

発明者： 熊谷 和夫 ,  小橋 宏司 ,  イボンヌ・マリー・ルグリース
出願人/特許権者： 株式会社神戸製鋼所 ,  ノースカロライナステートユニバーシティ
代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-260902
公開番号（公開出願番号）：特開平6-191991
出願日： 1991年10月08日
公開日（公表日）： 1994年07月12日
要約：

【要約】【目的】 不純物及び結晶欠陥等が少なく、高純度のダイヤモンド薄膜を製造する。【構成】 先ず、Si基板1の表面を鏡面研磨する。次に、この基板1の表面をダイヤモンドペーストで研磨(粗面化)した後、超音波洗浄する。次に、SF6 ガスをエッチングガスとして、プラズマエッチングを施す。これにより、超音波洗浄により除去しきれなかったダイヤモンドペースト等の基板1の表面上に付着した不純物を除去することができる。次いで、気相合成法により、基板1の表面上にダイヤモンド薄膜2を形成する。

請求項（抜粋）：

基板表面を研磨する工程と、少なくともフッ素を含むガスをエッチングガスとして前記基板表面をプラズマエッチングする工程と、前記基板表面上に気相合成法によりダイヤモンドを析出させる工程とを有することを特徴とするダイヤモンド膜の形成方法。

IPC (2件)：

C30B 29/04 ,  H01L 21/205