特許
J-GLOBAL ID：200903028488182886
ウエハ処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊沢 敏昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-138068
公開番号（公開出願番号）：特開平5-306458
出願日： 1992年04月30日
公開日（公表日）： 1993年11月19日
要約：
【要約】【目的】 真空中又は減圧雰囲気中にて半導体ウエハ等のウエハの処理中に加熱を行なうウエハ処理装置において、ウエハ温度の安定性を向上させる。【構成】 真空状態又は減圧状態になるように排気される処理室10内には、ヒータ16を有する試料台14を設ける。試料台14の上面は、周辺部より中央部がわずかに上方に隆起するように球面状に加工されている。試料台14の上面に被処理ウエハ22を載置した状態でウエハ周辺部を試料台上面に押し付けて固定する係止リング26,クランプリング24等の固定手段を設ける。この固定手段により試料台上面へのウエハ22の密着性を確保しつつウエハ加熱を行なう。このとき、ウエハ22には、スパッタリング、ドライエッチング、CVD等の処理を施す。
請求項（抜粋）：
真空状態又は減圧状態になるように排気される処理室内に、加熱手段を有し且つ被処理ウエハを保持する試料台を設け、該加熱手段により該試料台を介して該被処理ウエハを加熱しつつ該被処理ウエハに所望の処理を施すようにしたウエハ処理装置において、前記試料台のウエハ保持面を周辺部より中央部がわずかに上方に隆起するように加工しておく一方、前記試料台のウエハ保持面に前記被処理ウエハを載置した状態でウエハ周辺部を該ウエハ保持面に押し付けて固定する固定手段を設けたことを特徴とするウエハ処理装置。
IPC (4件)：
C23C 14/50
, C23C 16/46
, H01L 21/31
, H01L 21/324
