特許
J-GLOBAL ID：200903028490310727
裏面照射型受光デバイス及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-147992
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335624
出願日： 1997年06月05日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：
【要約】【課題】 十分な強度を備えて、受光面の反りや湾曲を低減し、画像ムラの発生を抑制して、短波長光に対して感度の高い裏面照射型受光デバイス及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の受光デバイス50は、シリコン酸化膜9で保護された受光面内にp+型のアキュムレーション層10を備えるP型シリコン基板1の背面にn型埋め込みチャンネル3、シリコン酸化膜4、ポリシリコン製の転送電極5、層間絶縁用のPSG膜6、アルミニウム配線7、シリコン窒化膜8を積層してCCD2が形成されている。CCD2には、さらに、絶縁性のポリイミド膜11と導電性のアルミニウム膜12を介してガラス基板13が陽極接合されている。したがって、デバイス50の機械的強度が保たれ、シリコン基板1の薄型化による高感度化が図れる。
請求項（抜粋）：
シリコンを主材とする半導体薄板の第1の面に1次元あるいは2次元に配列された電荷読み出し部を備えるとともに、前記半導体薄板の前記第1の面の反対の第2の面にイオン注入後の活性化熱処理により形成されたアキュムレーション層を備えており、前記第2の面の表面から入射する電磁波あるいは荷電粒子のエネルギーを検出する裏面照射型受光デバイスにおいて、前記第1の面の電荷読み出し部を覆う表面上に形成された表面が平坦な無機質あるいは有機質材料の絶縁膜と、前記絶縁膜上に堆積された半導体もしくは金属製の均一厚さで表面が平坦な酸化可能な導電膜と、前記導電膜の平坦な表面全体に陽極接合されたガラス基板と、を備えており、前記電荷読み出し部を外部回路に接続するための接続端子が形成された領域が前記第2の表面側の端部に露出している裏面照射型受光デバイス。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/14 K
, H01L 27/14 B
