特許
J-GLOBAL ID：200903028491048708
真空処理装置の基板加熱機構
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
井ノ口 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-207914
公開番号（公開出願番号）：特開平8-052341
出願日： 1994年08月09日
公開日（公表日）： 1996年02月27日
要約：
【要約】【目的】 成膜の終了した基板の温度を急速に冷却して基板処理時間の短縮化を図るとともに熱拡散により発生する加工形状の変化および添加不純物の濃度異常を低減化する。【構成】 真空処理装置の成長室4に基板1を配置するとともに基板1に対向してヒータ2を設ける。ヒータ2はヒータ移動機構13により上下に移動可能である。基板処理が終了した後、ヒータの電源を遮断するとともにヒータを基板1より遠ざけることにより入射する熱量を少なくして自身の熱放射による急速冷却を行い、熱拡散を抑える。
請求項（抜粋）：
真空中で基板とヒータを対向させて基板を加熱し所定温度に上昇させた後、基板表面を処理する真空処理装置において、前記基板を処理した後、前記ヒータの電源を切断するとともに当該ヒータを基板より離隔する機構を設けたことを特徴とする真空処理装置の基板加熱機構。
IPC (4件)：
B01J 3/00
, C23C 14/50
, C30B 23/00
, C30B 31/12
