特許
J-GLOBAL ID：200903028495442079
研磨加工法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-075625
公開番号（公開出願番号）：特開平7-285050
出願日： 1994年04月14日
公開日（公表日）： 1995年10月31日
要約：
【要約】【目的】本発明の目的は、適用範囲の広い終点検出を行ないながら加工することにより、高精度な半導体ウェハ絶縁膜の平坦研磨加工法を提供するものである。【構成】本発明の構成上の特徴は、加工すべき薄膜が表面に形成されている基板を研磨パッド表面上に押しつけて相対運動させながら該薄膜を研磨する加工法において、第一の検出器によって検出された該薄膜の被加工面までの距離S1と、第二の検出器によって検出された該薄膜の底面までの距離S2、との相対的距離関係から該薄膜の厚みを知り、その結果に基いて研磨加工の条件および加工時間を調整することを特徴とする研磨加工法にある。【効果】本発明では、従来の、加工時の摩擦力変化検出法や静電容量変化検出法といった微細構造に影響を受けやすいモニタ法に代え、研磨すべき残膜厚を直接、かつ微細構造部の膜厚に注目しながら加工するので、回路パタ-ンの種類や膜の材質に影響されずに精度の高い研磨加工を行なうことができる。
請求項（抜粋）：
加工すべき薄膜が表面に形成されている基板を研磨パッド表面上に押しつけて相対運動させながら該薄膜を研磨する加工法において、第一の検出器によって検出された該薄膜の被加工面までの距離S1と、第二の検出器によって検出された該薄膜の底面までの距離S2、との相対的距離関係から該薄膜の厚みを知り、その結果に基いて研磨加工の条件および加工時間を調整することを特徴とする研磨加工法。
IPC (4件)：
B23Q 17/24
, B24B 49/04
, B24B 49/12
, H01L 21/304 321
