特許
J-GLOBAL ID：200903028501993554
薄膜形成方法及び薄膜形成装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宇高 克己
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-236665
公開番号（公開出願番号）：特開平8-100258
出願日： 1994年09月30日
公開日（公表日）： 1996年04月16日
要約：
【要約】【目的】 真空系におけるフィルムの走行具合を制御する為の技術を提供することである。【構成】 真空中で走行する支持体面上に薄膜を設ける薄膜形成方法であって、真空中で走行する支持体面上に薄膜を設ける工程と、静電容量検出部を通過する支持体の位置変動による静電容量変化を検出し、この検出値を基にして支持体の走行を制御する工程とを具備する薄膜形成方法。
請求項（抜粋）：
真空中で走行する支持体面上に薄膜を設ける薄膜形成方法であって、真空中で走行する支持体面上に薄膜を設ける工程と、静電容量検出部を通過する支持体の位置変動による静電容量変化を検出し、この検出値を基にして支持体の走行を制御する工程とを具備することを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (4件)：
C23C 14/54
, C23C 14/56
, G11B 5/85
, H01F 41/20
