特許
J-GLOBAL ID：200903028505523269
銅 ポ リ イ ミ ド 基 板 の 製 造 方 法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-274954
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090737
出願日： 1991年09月27日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 銅とポリイミド樹脂フィルムとの密着強度を損なうことなく、高温環境下における長時間放置による密着強度の低下が無視でき、従来の下地金属層の除去工程の採用を可能とさせる銅ポリイミド基板を提供する。【構成】 ポリイミド樹脂フィルムの表面を親水化し、触媒を付与し、無電解メッキをし、その後無電解銅メッキ、あるいは電気銅メッキを行うことにより銅ポリイミド基板を製造する方法において、ポリイミド樹脂フィルムの親水化処理に、抱水ヒドラジンを1〜15mol/l、アルカリ金属水酸化物を0.5〜5mol/lの割合で含有する10〜50°Cの水溶液を用い、触媒付与後ニッケル、コバルトまたはそれらの合金のうちのいずれか一つを無電解メッキし、厚み0.01〜0.1μmで、不純物品位が10%以下のメッキ層を形成する。
請求項（抜粋）：
ポリイミド樹脂フィルムの表面を親水化し、触媒を付与し、無電解メッキをし、その後無電解銅メッキ、あるいは電気銅メッキを行うことにより銅ポリイミド基板を製造する方法において、ポリイミド樹脂フィルムの親水化処理に、抱水ヒドラジンを1〜15mol/l、アルカリ金属水酸化物を0.5〜5mol/lの割合で含有する10〜50°Cの水溶液を用い、触媒付与後ニッケル、コバルトまたはそれらの合金のうちのいずれか一つを無電解メッキし、厚み0.01〜0.1μmで、不純物品位が10%以下のメッキ層を形成することを特徴とする銅ポリイミド基板の製造方法。
IPC (2件)：
H05K 3/18
, H01L 21/60 311
