特許

J-GLOBAL ID：200903028505779433

集積回路トランジスタ構成体及びその製造方法

発明者： ラビシャンカー サンダレサン
出願人/特許権者： エスジーエス-トムソン マイクロエレクトロニクス, インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 小橋 一男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-261918
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218417
出願日： 1992年09月30日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 ソース/ドレインパンチスルーを制御し、トランジスタ性能を向上させた半導体集積回路トランジスタ構成体とその製法を提供する。【構成】 電界効果装置のソース/ドレイン領域30の下側に薄い絶縁層24を形成する。この絶縁層は、装置の全体的な寸法と比較して比較的浅いものである。この絶縁層は、好適には、例えば酸素又は窒素等の物質を、ゲートを画定した後に、基板内に注入することにより形成する。これにより、トランジスタのゲートと自己整合された絶縁層が形成される。

請求項（抜粋）：

電界効果トランジスタの製造方法において、基板上にゲート電極を形成し、絶縁層を形成するために表面の下側にドーパントを注入し、前記絶縁層の上方で前記ゲート電極に隣接した前記基板内にソース/スレッシュドレイン領域を形成する、上記各ステップを有することを特徴とする方法。

IPC (2件)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 301 X ,  H01L 29/78 301 L