特許
J-GLOBAL ID：200903028510399118
半導体デバイス
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小杉 佳男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-064536
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330944
出願日： 1996年03月21日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、いわゆるPLD,FPGA等と呼ばれる、完成した製品に所定のデータを書き込むことによって所望の回路動作を実現する半導体デバイスに関し、書込みを容易化する。【解決手段】 アンチヒューズ31に、そのアンチヒューズ31を遮断状態から書込状態へと変化させる書込用電流を供給する書込モードと、上記アンチヒューズに、そのアンチヒューズの状態をセンスするためのセンス用電流を供給するセンスモードと、書込みが行なわれた上記アンチヒューズに、追加書込みを行なうための追加書込用電流を供給する追加書込モードとに切替自在な定電流回路を備えた。書込みモードにおいてはPMOSトランジスタ401,37からなるミラー回路でアンチヒューズ31に電流を流し絶縁破壊をコンパレータ42で検知した後所定時間経過前は大きな電流を流し、所定時間経過後小さい電流に切り換える。
請求項（抜粋）：
互いに交差する第1の信号線および第2の信号線と、これら第1の信号線と第2の信号線との交点に配置されたアンチヒューズとを備え、遮断状態にあるアンチヒューズに電力を供給して該アンチヒューズを固定的な導通状態に遷移させる書込みを前記交点に配置されたアンチヒューズについて行なうか否かに応じて異なる回路動作が実現される半導体デバイスにおいて、前記アンチヒューズに定電流を供給すべく該アンチヒューズの抵抗値により変化する、所定電圧以下の電圧を該アンチヒューズに印加する定電流回路と、前記アンチヒューズに電流が流れ始めたか否かを検知する検知回路とを備え、前記定電流回路が、前記検知回路により前記アンチヒューズに電流が流れ始めたことが検知された後所定時間経過前は該アンチヒューズに所定の第1の定電流を供給し、該所定時間経過時に該アンチヒューズへの電流の供給を停止するものであることを特徴とする半導体デバイス。
IPC (4件)：
H03K 19/177
, H01L 21/82
, H01L 23/52
, H03K 19/173 101
H03K 19/177
, H03K 19/173 101
, H01L 21/82 A
, H01L 21/82 F
, H01L 23/52 Z
