特許

J-GLOBAL ID：200903028513164723

低いk値の誘電体膜の形成方法

発明者： リチャード・エイ・ホグル ,  パトリック・ジョセフ・ヘリー ,  セ・マ ,  ローラ・ジョイ・ミラー
出願人/特許権者： ザ・ビーオーシー・グループ・インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 社本 一夫 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-176835
公開番号（公開出願番号）：特開2003-045870
出願日： 2002年06月18日
公開日（公表日）： 2003年02月14日
要約：

【要約】【課題】 半導体又は集積回路の表面に極度に低いk値の誘電体膜を形成する方法を提供する。【解決手段】 化学気相成長プロセスにおいて多面体オリゴマーシルセスキオキサンとカップリング剤とを反応させて、低いk値の誘電体物質を生成する。多面体オリゴマーシルセスキオキサン化合物は化学式SinO1.5n(R1)i(R2)j(R3)kを有し、ここでn=i+j+kであって、約6〜約20の範囲であり、R1、R2、及びR3は有機又はケイ素の官能基又はこれら両方の基の組合せである。

請求項（抜粋）：

半導体又は集積回路の表面に低いk値の誘電体フイルムを堆積する方法であって、化学気相成長プロセスにおいて多面体オリゴマーシルセスキオキサンとカップリング剤とを反応させて、前記低いk値の誘電体物質を生成することを含む、前記方法。

Fターム (5件)：

5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BF02 ,  5F058BF22 ,  5F058BJ02