特許
J-GLOBAL ID：200903028529498214
アクティブ素子アレイ基板およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-175062
公開番号（公開出願番号）：特開平11-024101
出願日： 1997年07月01日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：
【要約】【課題】 生産タクトを変えることなく、厚い層間絶縁膜を用いても実装端子間でのショートを防止することができるアクティブ素子アレイ基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】 層間絶縁膜7が厚く形成されている場合であっても、その層間絶縁膜端部7bであって隣り合う実装端子6aの間に設けた凸部7cにおける後工程でのレジスト残渣を無くす。
請求項（抜粋）：
2枚の基板間に挟持された液晶を複数の画素電極を介して駆動しその液晶により画像を表示する液晶表示パネルにおいて、前記2枚の基板のうちの一方の基板上に、前記駆動用として配列された複数のアクティブ素子と、前記駆動用の信号を供給するために前記アクティブ素子毎に電気的に接続されて引き出され互いに隣り合うように配列された複数の実装端子と、前記複数のアクティブ素子を覆うとともに、前記複数の実装端子上が開口されるように端部が形成された層間絶縁膜とを備え、前記層間絶縁膜を、各アクティブ素子に対応して形成されたコンタクトホールを通じて、各アクティブ素子とそれに対応する画素電極とをそれぞれ接続するように構成したアクティブ素子アレイ基板であって、前記層間絶縁膜を、各実装端子間部分に対応する端部に凸部を形成して構成したことを特徴とするアクティブ素子アレイ基板。
IPC (4件)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/1343
, G09F 9/30 347
, H01L 21/768
G02F 1/136 500
, G02F 1/1343
, G09F 9/30 347 A
, H01L 21/90 B
