特許

J-GLOBAL ID：200903028529878750

CVDによる成膜方法とその装置

発明者： 小口 政充 ,  奥田 秀彦 ,  杉山 徳仁
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 押田 良久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-148410
公開番号（公開出願番号）：特開平11-329983
出願日： 1998年05月12日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】【課題】 CVDによる成膜方法におけるウェーハ表面の傷類をなくすことにより、表面研磨量を最小限にでき、ウェーハの平坦度向上と生産性の向上を確保できるCVDによる成膜方法とその装置の提供。【解決手段】 ウェーハの面取り部分、すなわちウェーハエッジのみを支持してウェーハ表面には何ら接触しない状態で反応部へ移載あるいは搬出すれば、ウェーハ表面の傷類をなくすことができ、トレー内周面を傾斜面としてウェーハエッジのみを支持可能にすると、ウェーハと搬送部低部は1mm以内の隙間を保たれてウェーハエッジのみに接触し、ウェーハの表面には接触しない状態で搬送可能でウェーハ表面の傷類の発生をなくし、かつウェーハ面内はヒーターからの輻射熱を均等に受けて化学反応し、酸化膜を堆積、成膜できる。

請求項（抜粋）：

反応領域内に搬入した被処理ウェーハを加熱して、領域内に供給された原料ガスに応じた成分を被処理ウェーハ表面に堆積、成膜するCVDによる成膜方法おいて、被処理ウェーハのローダー、アンローダーでの移載に際して、表裏面に接触することなくウェーハエッジのみを支持して行うCVDによる成膜方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/68

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/31 F ,  H01L 21/68 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭64-089530
  
• 特開昭63-257217
  
• 特開昭64-089530
  
• 特開昭63-257217